본문 바로가기 주메뉴 바로가기

응용분야

광학적 측정

  • 박막
    반도체 산업은 Moore’s law을 충족하기 위한 노력으로 계속 발전하고 있는 가운데, Thin Film 두께는 가장 빠르게 Scailing down되는 차원 중 하나입니다. 이에 따라 Chip 제조업체들은 Ultra-thin dielectrics의 통계적인 공정 제어를 위한 계측 시스템을 도입해야 합니다.
    Ellipsometer는 비파괴적인 기술로, 투명 및 반투명한 매질에 적용될 수 있습니다. 이는 mono-atomic 층부터 몇 마이크로미터까지 다양한 두께를 측정할 수 있습니다.
    Ellipsometer 는 단일 층과 다층 Stack의 두께를 결정하는 데 도움을 주며, 또한 n과 k 데이터 추출을 통해 물질의 광학적 특성을 정확하게 특성화할 수 있습니다.
    Ellipsometry Spectroscopy를 통해 최대 7개의 층을 동시에 하나의 측정으로 분석하여 각 개별 층의 두께를 추출할 수 있습니다. 또한 물질의 광학적 특성은 광범위한 스펙트럼 범위에서 (Deep UV부터 NIR까지) 얻을 수 있습니다.
    다른 광학 기술과 달리, Ellipsometer는 반사측정과 같이 Reference 샘플이나 Reference laser이 필요하지 않습니다. 더불어, 다양한 파장에서 빛의 위상을 추가 측정함으로써 높은 감도를 제공하는 장점이 있습니다. 이로 인해 불명확한 물질 조성이나 Rough interface를 가진 다층과 같은 복잡한 구조의 분석이 가능합니다.
    관련제품
    박막 두께와 광학적 특성 (예: ITO, OLED, LTPS, IGZO, SiNx, SiOx, Photoresist 등)은 공정 제어에 있어 중요한 매개변수입니다. Semilab의 Ellipsometry spectroscopy를 사용하면 패널의 크기에 관계없이 반사측정과 유사한 속도로 빠르고 정확한 측정이 가능합니다.
    Semilab의 분석 소프트웨어를 활용하여 광학 Bandgap energy, Transmission, Roughness 및 Crystallinity-related 요소 (LTPS의 경우)와 같은 다양한 파라미터를 결정할 수 있습니다.
    SiOx/Glass 구조는 기존의 광학적 방법을 사용하여 측정하기 어려울 수 있지만, FPT에 사용된 Ellipsometer 원리로 인해 Low-contrast 구조도 정확하게 평가할 수 있습니다.
    관련제품
    박막 태양전지 생산의 안정성을 유지하기 위해서는 레이어 증착 및 처리 공정의 적절한 통제가 매우 중요합니다. Semilab은 박막의 전기 및 광학적 특성을 특성화하기 위한 여러 계측 솔루션을 제공합니다.
    Semilab의 " Spectroscopic Ellipsometry "와 " Spectroscopic Haze and Reflectance " 기술을 활용하면 다층 구조에서도 층 두께와 기타 광학적 파라미터를 완벽하게 특성화할 수 있습니다.
    관련제품
  • Epi 두께
    실리콘 기판에 실리콘의 단층을 Uniform하게 부착하기 위해 CVD 공정을 통해 특성 변화를 일으킬 수 있습니다. 이러한 변화에는 Resistivity, Type 및 Defect Density가 포함됩니다. 이 CVD 공정을 Epi(또는 Epitaxial) 증착이라고 합니다. Epi 층의 두께 모니터링은 Epi 웨이퍼 제작 과정의 일부입니다. 이 모니터링은 샘플 기반으로 수행되거나 Epi 반응기가 적절하게 설정되었는지 확인하기 위해서만 수행됩니다.
    Semilab은 Epi 두께 모니터링을 위한 비접촉식 광학 솔루션을 제공할 수 있으며, 상황에 따라 Infrared reflection 기술을 활용합니다.
    관련제품
    Michelson 간섭계를 기반으로 한 FTIR는 반도체 속성을 모니터링하기 위한 비접촉 및 비파괴적인 방법입니다:

    1. Interferogram 측정:
    Side burst 위치를 사용하여 실리콘 EPI 두께를 빠르고 정확하게 측정합니다.

    2. 반사 측정:
    광학 모델링을 사용하여 실리콘 EPI 샘플의 Transition 영역 두께를 결정하며, 층 조성 및 Dopant 농도에 대한 정보를 제공합니다.
    BPSG 농도 측정: Semilab의 SAM 소프트웨어에서 PLS 보정을 사용하여 BPSG와 같은 복잡한 재료에 대한 실시간으로 농도를 분석합니다.

    3. 투과 측정:
    흡수 피크를 분석하여 층 두께 및 결합 농도를 평가합니다. 또한 SiN 층의 수소 농도와 고저항 실리콘의 격자 내 산소 농도를 분석할 수 있습니다.
    관련제품
  • 3D 구조의 특성화
    Integrated circuit의 증가하는 기능 요구로 인해 더 많은 기능을 한정된 공간에 담기 위해 점차적으로 3차원 구조를 사용하고 있습니다. 이는 Device 및 Interconnect 기술의 여러 영역에서 일어나고 있습니다. Contact 및 Memory Capacitor 구조에서는 더 높은 측면비를 추구하는 추세가 지속되고 있습니다. 대표적으로 FinFET Logic devices 와 같은 Advanced Technolohy Node에서 Vertical-oriented transistor channel을 사용하고 있습니다. 더 큰 규모에서는 실리콘 통구조(TSV)를 사용하여 다이를 수직으로 적층하는 3D Interconnect가 있습니다.
    이러한 발전으로 인해 공정 제어와 계측에서 새로운 도전 과제가 생겼으며, Etched structure의 Profile과 Depth를 측정하기 위한 방식이 필요합니다. 프로세스 특성화를 위한 SEM, AFM 및 SPM은 중요한 역할을 하지만, 제품 웨이퍼를 신속하게 측정하여 정기적인 모니터링과 고급 공정 제어를 용이하게 하는 능력으로 인해 광학 계측 방법이 크게 주목받고 있습니다.
    관련제품
    Model-Based Infrared Reflectometry(MBIR)는 웨이퍼를 비파괴적인 측정을 빠르고 반복적으로 제공하는 Thin Film 검사 시스템입니다.
    IR 시리즈 제품군은 integrated circuit manufacturing 에 사용되는 etched structures와 필름의 dimensions, composition 및 uniformity 에 대한 높은 throughput, 낮은 운영 비용, 비접촉 및 비파괴적인 측정을 제공하기 위해 MBIR 기술을 사용합니다. 이 기술은 시스템 보정을 단순화하고 주요 층 측정에 대한 기판 변동의 영향을 제거합니다.
    MBIR 기술에는 backside reflection을 억제하고 불필요한의 데이터를 필터링하는 독점적인 광학 장치가 포함되어 있어 분석 능력을 향상시키고 측정 정확도를 향상시킵니다. 두 가지 다른 Spot 크기를 가진 두 가지 MBIR 광학 옵션이 있습니다. Large spot 광학은 Film 및 Pattern 된 웨이퍼의 디바이스 영역에서의 측정에 주로 사용되며, Small spot 광학은 Pattern 된 웨이퍼의 Scribe Line Test Structure의 측정을 가능하게 합니다.
    관련제품
    일반 광학 현미경으로 얻을 수 있는 최대 확대율은 광선의 특성으로 인해 대략 800-1000×로 제한됩니다. 더 높은 확대율을 위해서는 주로 주사전자현미경 (Scanning Electron Microscope, SEM)을 사용하며, 그 중에서도 전자를 투과시키는 전자 현미경 (Transmission Electron Microscope, TEM)은 최대 확대율을 제공하여 단일 원자까지 관찰이 가능합니다.
    그럼에도 불구하고 왜 스캐닝 프로브 현미경 (Scanning Probe Microscope, SPM)과 같은 현미경 유형이 존재하는 이유일까요?
    1. 샘플의 보존 : 전자 현미경으로 검사해야 하는 샘플은 얇게 슬라이스해야 하며 이로 인해 파손될 가능성이 높습니다. 반면 SPM 기술은 샘플을 손상시키지 않고 원자 수준의 표면 구조를 이미징할 수 있습니다.
    2. 3차원 이미징 : 또 다른 이유는 SPM 현미경이 제공하는 이미징 방식입니다. SPM 현미경의 결과물은 일종의 3D 이미지로 표시됩니다(2D 정보만 평가되는 경우에도 해당). 반면 전자 현미경을 사용하여 샘플의 표면 구조를 조사하는 것이 매우 어렵습니다.
    3. Non-vacuum 측정 : SPM은 전바 및 광학 현미경과 달리 진공 환경이 필요하지 않습니다.
    4. Physical properties 측정 : 전자 및 광학 현미경과 달리 전기적 특성 (예: 켈빈 프로브 힘 현미경, KPM/KPFM) 또는 자기적 특성 (자기력 현미경, MFM)과 같은 다른 물리적 효과를 측정할 수 있습니다. 이러한 다양성은 SPM을 다른 현미경과 구분짓는 특징입니다.
    관련제품
  • 결함 Inspection
    "Bulk Micro Defects" (BMD)라는 용어는 주로 실리콘 내의 산소 Precipitates 를 가리키는 표현으로 사용됩니다. 실리콘 격자 내의 다양한 불완전함이 결함을 만들며, BMD는 산소 Precipitates, Voids, Inclusions 등 다양한 불완전성을 포함합니다.
    BMD는 문제가 되는 내용, 생성 방식 또는 물리적 특성에 따라 여러 가지 이름으로 불리기도 합니다. 예를 들어, COPs (Crystal Originated Particles) 및 Grown-In Defects와 같은 용어가 있습니다.
    Dislocations는 결정 성장 중에 생성될 수 있으며 웨이퍼의 열 처리, 특히 Epitaxial층 성장 및 Implant Anealing과 같은 CMOS 소자 제조 단계에서도 형성될 수 있습니다.

    반도체 격자의 불완전성과 불순물은 밴드갭 내 에너지 상태를 생성하여 캐리어 수명을 감소시키고 접합 누설을 증가시킵니다. 또한 이러한 결함은 불순물이 집중되기 쉬운 Gettering 위치 역할을 하며, BMD 프로파일은 복잡한 고온 프로세스의 연속을 통해 제어됩니다. 또한 "denuded zone"을 생성하여 MOS 트랜지스터 작동이 일어나는 표면 실리콘 레이어는 산소 침전체가 없는 상태를 유지하며, 기반 실리콘 내 산소 침전체는 MOS 트랜지스터로부터 불순물을 멀리 유지하는 Gettering 위치 역할을 합니다.
    적외선(IR) 광은 대부분의 반도체 재료를 관통할 수 있으며, BMD가 반도체의 Regional 광학적 특성을 변경시키므로 적외선 광을 샘플에 조명하고 적외선 감지 카메라로 관찰하여 BMD를 감지할 수 있습니다.
    관련제품
    En-Vision은 광학 검사로는 확인할 수 없는 dislocations, Oxygen precipitates, 또는 Staking faults와 같은 buried defects를 비접촉 으로 측정합니다. IC Fab의 결함 관리를 개선하고 다양한 응용 분야를 커버함으로써, En-Vision은 기존 기술(X-TEM / SECCO 에칭)과 비교하여 더 100배 이상 buried defects 검출을 하여 획기적으로 검출량을 향상시킵니다.
    En-Vision은 결함 크기 (15 nm ~ sub-micron)와 밀도 (E6 - E 10 /cm3) 모두 넓은 범위의 측정을 제공합니다. En-Vision은 buried defect의 방사 발광(photoluminescence)을 감지하여 다른 광학 장치의 광학 해상도보다 훨씬 작은 결함 크기를 감지할 수 있도록 합니다.
    관련제품
    Polarized Stress Imaging (PSI) 기술은 IR 빛의 depolarization 측정을 통해 Si 웨이퍼 또는 Si slug를 웨이퍼로 가기 전에 분류하는 데 적합한 기술입니다.
    관련제품
    일반 광학 현미경으로 얻을 수 있는 최대 확대율은 광선의 특성으로 인해 대략 800-1000×로 제한됩니다. 더 높은 확대율을 위해서는 주로 주사전자현미경 (Scanning Electron Microscope, SEM)을 사용하며, 그 중에서도 전자를 투과시키는 전자 현미경 (Transmission Electron Microscope, TEM)은 최대 확대율을 제공하여 단일 원자까지 관찰이 가능합니다.
    그럼에도 불구하고 왜 스캐닝 프로브 현미경 (Scanning Probe Microscope, SPM)과 같은 현미경 유형이 존재하는 이유일까요?
    1. 샘플의 보존 : 전자 현미경으로 검사해야 하는 샘플은 얇게 슬라이스해야 하며 이로 인해 파손될 가능성이 높습니다. 반면 SPM 기술은 샘플을 손상시키지 않고 원자 수준의 표면 구조를 이미징할 수 있습니다.
    2. 3차원 이미징 : 또 다른 이유는 SPM 현미경이 제공하는 이미징 방식입니다. SPM 현미경의 결과물은 일종의 3D 이미지로 표시됩니다(2D 정보만 평가되는 경우에도 해당). 반면 전자 현미경을 사용하여 샘플의 표면 구조를 조사하는 것이 매우 어렵습니다.
    3. Non-vacuum 측정 : SPM은 전바 및 광학 현미경과 달리 진공 환경이 필요하지 않습니다.
    4. Physical properties 측정 : 전자 및 광학 현미경과 달리 전기적 특성 (예: 켈빈 프로브 힘 현미경, KPM/KPFM) 또는 자기적 특성 (자기력 현미경, MFM)과 같은 다른 물리적 효과를 측정할 수 있습니다. 이러한 다양성은 SPM을 다른 현미경과 구분짓는 특징입니다.
    관련제품
  • 이온 임플란트 모니터링
    현대 반도체 장치는 도핑 농도와 Positioning을 정밀하게 제어해야 하며, 이는 정밀한 이온 임플란트와 주의 깊은 어닐링을 필요로 합니다. 일반적으로 p-형 자료에 n-형 물질이 주입되거나 그 반대로 이루어집니다. 주로 사용되는 주입 물질로는 p-type에는 Boron과 Indium, n-type에는 Phosphorus, Arsenic 및 Antimony 등이 있습니다. 과정은 모니터 웨이퍼를 통해 모니터링되며, 모니터 웨이퍼는 임플란트 및 어닐링 후에 확인됩니다. 또는 제품 웨이퍼에 테스트 박스를 사용하여 모니터링할 수도 있습니다.
    관련제품
    Photo-modulated Reflectivity Measurement (PMR)은 임플란트 이전에 Pre-annealed 된 생산용 웨이퍼의 임플란테이션을 모니터링하는 기술입니다. 이 방법은 웨이퍼를 두 가지 다른 레이저로 조사합니다 (Generation laser - λ1, Probe laser - λ2), 이 두 레이저는 서로 다른 파장을 갖습니다. Generation laser는 Modulate되고 Probe laser는 고정됩니다. 웨이퍼에서 반사된 빛을 분석하여 반사율의 변화를 감지하며, 이것이 임플란트 손상과 캐리어 농도에 민감한 PMR 신호를 형성합니다.

    PMR 작업은 패턴 인식 시스템으로 웨이퍼의 Placement와 Orientation을 확인합니다. Generation laser는 Excess 캐리어를 생성하고 중요한 손상이 있는 Region에서의 Heating을 조사합니다. Excess 캐리어와 Heat gradient는 굴절률 Gradient를 형성하며, Probe laser는 이 Gradient나 표면 열을 이용하여 Dose level 또는 Junction depth를 결정합니다. Generation laser는 2 kHz (quasi-static)에서 작동하여 높은 Signal to Noise 비율을 제공하며, 새로운 Beam sampler를 사용하여 Laser light intensity의 향상된 안정성을 가집니다.
    PMR 신호는 Dose (1/cm2)에 맞게 Fitting될 수 있으며, 임플란테이션 Dose 과 PMR 신호 간의 Functional Relations를 나타낼 수 있으므로 생산 샘플의 Dose를 결정할 수 있습니다. 임플란트 Species에 따라 감도가 다르며, 동일한 원리를 사용하여 임플란트 에너지 및 온도와 같은 다른 임플란트 매개 변수에 대한 감도를 계산할 수도 있습니다.
    관련제품
    이온 임플란트 공정과 임플란트 후 Annealing 공정은 주로 임플란트 층의 Sheet 저항을 측정하여 모니터링합니다. Sheet 저항은 임플란트 Dose, 에너지 및 전기적으로 활성화된 임플란트 Species의 양에 따라 변동합니다. 따라서 디바이스 성능을 궁극적으로 결정하는 것은 Sheet 저항입니다. 따라서 Sheet 저항을 측정하는 것은 임플란트 프로세스와 관련된 모든 것을 모니터링하는 우수한 방법입니다.
    JPV (Junction Photovoltage) 방법의 기본 아이디어는 np 또는 pn 층 구조의 Light excitation을 활용하고 생성된 접합 광전압을 Capacitive probe로 수집하는 것입니다. 감지된 Potential은 임플란트 된 층의 Sheet 저항, 접합의 Capacitance 및 다이오드의 저항에 의해 결정됩니다. Semilab은 Sheet 저항을 비접촉, 고해상도로 빠르게 Map으로 생성하기 위해 JPV 기술을 제공합니다.

    측정 이론:
    시료는 Chopped LED 빛에 의해 조사되며, 이로 인해 기판 층에서 전자와 홀이 생성됩니다. 생성된 전하는 접합으로 이동하고, 접합에 위치한 전기장이 이를 분리합니다. 이 분리는 접합 전압의 변화를 가져옵니다. 이 전압 변화는 임플란트 된 층에서 측면으로 퍼지며, 감쇄는 Sheet 저항, 접합 Capacitance, 접합의 저항 및 LED의 Chopping 주파수에 따라 달라집니다.
    Potential 변화는 발생한 빛의 주파수 함수로 JPV 신호를 평가하기 위해 Capacitive 센서에 의해 감지됩니다.
    평가를 통해 Sheet 저항 (Rs), 접합 Capacitance (Cd) 및 다이오드 저항 (Rd)을 계산할 수 있습니다.
    접합 누설 전류는 다음과 같은 방정식을 통해 직접적으로 Rd와 관련이 있습니다:
    IL = kt/q/Rd
    관련제품
  • 유전체 Porosity 측정
    Microelectronics 에서 Porous films 은 integrated circuits 의 interconnection isolators 의 capacitance를 줄이기 위해 사용됩니다. 이 Capacitance 감소는 여러 가지 목적을 달성하기 위해 사용됩니다:
    RC 시간 지연을 감소시켜 작동 주파수를 높입니다.
    전력 소비를 낮춥니다.

    더 낮은 유전 상수를 얻으려면 재료가 porous이어야 합니다. 그러나 이로 인한 신뢰성의 문제가 있습니다
    1. Cracking 및 Absorption 손실 (물질이 오랜 기간 동안 기판에 부착되어야 함).
    2. Mechanical Strength (Chemical-Mechanical Polishing, CMP, 을 견뎌야 함).
    3. Moisture absorption (hydrophobicity 을 유지하고 우수한 절연체로 남아야 함).

    유전 상수는 Porosity에 따라 달라집니다. 예를 들어, Porous SiOCH 재료에서:
    Ultra low-k (ULK)는 약 2.5의 k 값을 가지며 약 20%의 porosity와 약 3-4 nm의 pore 크기를 갖습니다.
    Extreme low-k (ELK)는 약 2.3의 k 값을 가지며 약 30%의 porosity와 약 5-6 nm의 pore 크기를 갖습니다.

    Porous 유전체 층의 특성화는 신뢰성 있는 layer fabrication 을 보장하기 위해 필요합니다.
    관련제품
    Ellipsometry Porosimetry(EP)는 기체 Absorption과 Desorption의 과정을 통해 광학적 특성 및 막 두께의 변화를 측정하는 첨단 기술입니다. 이 기술은 다음과 같은 독특한 장점을 제공합니다.

    - EP는 10nm와 같이 극히 얇은 막의 기공도를 뛰어난 정밀도와 속도로 측정할 수 있습니다.
    - 전통적인 Porosimetry 와 달리, 얇은 막 내의 기공 크기와 분포를 정확하게 판별하는 데 능합니다.
    - EP는 Spectroscopic Ellipsometry(SE)를 사용하며, IMEC에서 특허를 보유하고 있으며 Semilab에 독점 라이선스로 제공합니다.
    - 이 기술은 대기압(EPA) 및 저압(EP) 조건 모두에서 작동합니다.
    - EP는 10nm부터 몇 um까지 다양한 두께의 막에서 Micro 및 Meso porosity를 평가할 수 있습니다.
    - 샘플 준비나 막에 Scratching이 필요하지 않아 Reprodcibilty와 속도를 보장합니다.
    - EP는 실리콘 기반 기술, 태양전지, 유기 전자 제품 및 SolGel 코팅 산업 등 다양한 분야에서 응용됩니다.

    요약하자면, Ellipsometry Porosimetry 는 Thin Film 내의 Pore을 정밀하게 분석하는 현존 최첨단 도구로, 다양한 산업 분야에서 versatility, accuracy 및 efficiency 를 제공합니다.
    관련제품
  • 오염 모니터링
    Semilab은 IC 산업에서 ultra-low metallic contamination 을 비접촉 metrology 솔루션을 제공합니다. 이 솔루션은 high-throughput Photoluminescence Imaging (PLI) 기술과 Suface PhotoVoltage (SPV) 및 microwave Photoconductance Decay (µ-PCD)와 같은 lifetime-based 방법을 포함한 다양한 Full 웨이퍼 Imaging기술을 다룹니다. Semilab의 디지털 SPV 기술인 FAaST 시스템은 Bulk Fe Contamination 감지 부문에서 세계 선두입니다.
    metallic contamination 이 integrated circuits 의 gate oxides integrity에 미치는 부정적인 영향은 잘 알려져 있습니다. 고온 가공 중에 실리콘 웨이퍼 내의 오염 물질은 종종 Si/Dielectric interface에서 결함으로 나타나거나 dielectric 재료 내에 축적됩니다. 모든 경우에 장치 조기 고장을 유발하고 제품 Yield을 감소시킬 수 있습니다. metallic contamination이 Yield 에 미치는 영향은 칩 크기 (technology node/critical dimension) 및 결함 밀도 (amount of contamination)와 같은 요소에 따라 다릅니다. 장치 크기가 계속해서 축소됨에 따라 Yield 을 유지하기 위해 오염도를 감소시키는 것이 필요합니다. 그림은 지난 25년 동안 새로운 공장에서 관찰된 평균 Fe 농도의 수준 감소를 나타내며, 현재의 가장 최첨단 Si IC 제조 요구 사항을 충족하기 위해 또 감소가 필요하다는 가까운 미래 예측을 보여줍니다. CMOS 이미지 센서에서의 white pixel 결함 감소가 이러한 지속적인 노력에 중요한 영향을 미치고 있습니다.
    관련제품
    Semilab SDI의 FAaST 시스템은 반도체 디바이스와 소재의 제조 과정에서 사용되는 비접촉 전기 측정 도구로, 표면 Potential Probing기술과 Illumination, Surface charging 기술을 결합하여 반도체 웨이퍼, dielectric 및 interface의 다양한 매개변수를 정밀하게 측정할 수 있습니다. 이 기술은 정확성과 효율성을 제공하며 특수한 테스트 장치를 필요로 하지 않아 시간과 비용을 절약합니다.
    핵심 기능 중 하나는 WT-2000 멀티 metrology platform에 통합된 소형 SPV 센서로, 실리콘 웨이퍼의 전기적 품질을 포괄적으로 분석할 수 있게 해줍니다.
    Semilab SDI의 특허를 받은 디지털 SPV 기술은 FAaST 시스템에 적용되어 실리콘 내의 heavy metal contamination을 비파괴적으로 측정하는 장비입니다. 낮은 injection 레벨에서 특히 minority carrier diffusion length를 신속하고 신뢰성 있게 측정합니다. 독특한 Activation 방법으로, Cu 및 Fe와 같은 오염 물질을 감지하는 민감도가 뛰어납니다.
    Small Signal ac-surface photovoltage (SPV) minority carrier diffusion length 측정은 실리콘 웨이퍼에서 Fe 오염 및 micro 결함을 감지하는 데 중요한 역할을 합니다. 이는 crystal growth, 화이트 ingot-to-wafer processing, wafer cleaning, monitoring iron contamination 등 반도체 처리 단계에서 Fe 오염을 모니터링하고 유지 보수 후 처리 도구를 재검증하는 데 사용됩니다.
    AC-SPV Metrology에서 multi-wavelength light 은 표면 아래에서 다수의 Minority carrier를 생성하여 확산 및 재결합으로 이어집니다. 최종 profile은 Minority carrier diffusion length에 민감한 Fe, Cu 및 기타 재결합 Center의 지표입니다. 오염물질 모니터링은 diffusion length를 측정함으로써 수행되며, Fe, Cu 및 기타 오염물질의 재결합 활동을 선택적으로 변경하여 특정 처리에 의해 Fe, Cu 및 기타 물질의 전체 diffusion length에 대한 기여를 알아낼 수 있습니다.
    관련제품
    Lifetime은 반도체 소재의 특성 중 하나입니다. 이것은 반도체 소재 내의 Excess carrier가 평형 상태를 달성하기 전에 존재하는 평균 시간입니다. 이러한 매개변수는 “Minority Carrier Lifetime", " carrier lifetime " 및 " recombination lifetime "으로도 불립니다. 반도체의 lifetime은 완벽한 결정 격자와 오염이 없으면 기나, 반도체 소재의 불완전함이나 오염이 있는 경우 lifetim은 줄어듭니다. 따라서 lifetime을 모니터링하는 것은 오염을 감지하는 우수한 방법입니다.
    lifetime을 측정하는 가장 일반적인 방법 중 하나는 microwave Photoconductance Decay (µ-PCD) 기술입니다.
    µ-PCD는 Laser pulse에 의한 Excess carrier 생성을 기반으로 하며, 이것은 전도도의 변화와 따라서 microwave reflectivity의 변화를 야기합니다. Illumination 후 재결합에 의해 전도도가 감소하며, 이는 시간에 따른 microwave reflectivity을 측정함으로써 모니터링할 수 있습니다. lifetime은 기록된 decay transient로부터 결정됩니다. 최상의 결과를 얻으려면 표면 재결합을 피하기 위해 표면 보호 처리가 필요합니다. Semilab은 wet chemicals 을 사용하지 않고 최적의 표면을 얻기 위한 특수 처리 챔버를 제공합니다.
    관련제품